導熱系數(shù)：綠碳化硅的導熱系數(shù)較高（約80-120 W/m·K，純度高時可達200 W/m·K以上），優(yōu)于許多金屬和陶瓷材料（如鋁、氧化鋁）。
熱膨脹系數(shù)低：與半導體材料（如硅）匹配良好，可減少熱應力問題。
耐高溫性：在高溫（可達1600°C）下仍能保持穩(wěn)定的導熱性能。
電子散熱：用于高功率電子器件（如IGBT、LED、射頻器件）的散熱基板或熱沉材料。
半導體封裝：作為導熱填料（如SiC顆粒/纖維增強的復合材料），提升環(huán)氧樹脂等基體的導熱性。
高溫環(huán)境：適用于航空航天、核反應堆等極端環(huán)境下的導熱部件。
高導熱+絕緣：兼具高導熱性和電絕緣性（電阻率＞10^12 Ω·cm），適合電力電子領域。
化學惰性：耐腐蝕、抗氧化，壽命長。
機械強度高：硬度高（莫氏硬度9.2），耐磨性好，適合需要結(jié)構(gòu)強度的場景。
加工難度：綠碳化硅硬度極高，需用金剛石工具加工，成本較高。
界面熱阻：與其他材料接觸時需優(yōu)化界面處理（如金屬化或使用導熱墊片）。
純度要求：雜質(zhì)（如游離硅、碳）會降低導熱性，需選擇高純度（≥99%）材料。
復合材料：將綠碳化硅粉末（微米/納米級）與聚合物（如環(huán)氧樹脂）混合，制成導熱膠或墊片。
涂層：通過等離子噴涂在金屬表面形成導熱耐蝕層。
基板選擇：對于高功率器件，可選用SiC陶瓷基板（如與銅結(jié)合的直接覆銅基板，DBC-SiC）
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